本文开展了背照式CMOS图像传感器(CIS)中国散裂中子源(CSNS)白光中子辐照实验研究,中子辐照实验的注量范围为1.0×10~(10)～2.0×10~(11) n/cm~2;分析了白光中子辐照诱发背照式CIS暗电流、暗电流非均匀性、固定模式噪声、时域噪声等增大的实验规律和损伤机理;给出了暗信号尖峰随中子辐照注量增大而增大的实验分布结果。实验结果还表明:背照式CIS在不同偏置辐照条件下,性能参数退化差异不明显;转换因子在中子辐照前后几乎没有发生退化。本文的实验结果及理论分析为评估背照式CIS中子辐照损伤效应提供了实验依据。